Sandisk在FMS 2026 (FMS 26) 現場展示創新NAND技術，為下一階段的人工智能（AI）基礎架構發展注入動力。Sandisk將在FMS 2026現場以主題演講《NAND：AI時代多元且可擴展的基礎》為核心，解析長上下文模型和智能體工作流程如何重塑記憶體與儲存層。該主題演講將於太平洋時間 8 月 5 日（星期三）上午 11時40分在聖塔克拉拉會議中心的 Mission City 宴會廳舉行。
Sandisk首席產品總監Khurram Ismail表示：「AI基礎架構已邁入新發展階段，高效儲存、傳輸和存取數據的能力已變得與運算能力同樣重要。隨著推理工作負載的增長，客戶亟需既不增加複雜性，又能兼具理想效能、容量和能源效率的內存與儲存技術。憑藉數十年的快閃記憶體創新累積，Sandisk致力推動新一代NAND快閃記憶體技術和HBF™等新興技術，協助推動產業發展。」
BiCS10 QLC NAND快閃記憶體技術
Sandisk的技術創新聚焦於AI工作負載，涵蓋高速數據湖（Data lakes）、模型儲存、檢索增強生成（RAG）及鍵值快取（KV Cache）等應用場景。在FMS 2026上，Sandisk展示HBF™技術、新一代NAND快閃記憶體技術和企業級SSD技術，以滿足AI推理在容量、效能和能源效率方面的要求。Sandisk於FMS 2026的展示亮點包括：
BiCS10 QLC NAND快閃記憶體技術：面向AI、雲端和數據中心的新一代3D NAND快閃記憶體技術，旨在提升儲存的密度、效能和能源效率。AI數據周期框架：Sandisk專有框架的更新版本，可對照AI生命周期各環節的儲存需求，涵蓋從原始數據歸檔、高速數據湖，至訓練、推理及生成內容庫的各個環節。HBF™技術：HBF™（高頻寬快閃記憶體），一項基於NAND快閃記憶體的全新記憶體技術，旨在滿足大規模AI推理持續演進的需求。企業級SSD：整合針對鍵值快取工作負載所需的高耐久度配置、面向未來的PCIe® 6.0技術，以及透過減少DRAM配置而實現超高容量的E3.S設計。
將參加《藉助高頻寬快閃記憶體打破記憶體牆》主題論壇
Sandisk亦將參加以《藉助高頻寬快閃記憶體打破記憶體牆》（Breaking the Memory Wall with High Bandwidth Flash）為主題的論壇，與Google和SK海力士共同探討HBF™技術、概念和生態系統的發展，以及新型記憶體方式在實際AI基礎架構中切實可行的所需條件。該論壇於太平洋時間 8 月 6 日（星期四）上午 9時45分在聖塔克拉拉會議中心的宴會廳D舉行。
歡迎蒞臨Sandisk FMS 2026展台（展位號607），現場了解Sandisk最新產品與技術成果，涵蓋HBF™、BiCS10 NAND快閃記憶體技術、企業級SSD、車規級儲存產品、客戶端SSD及消費端產品。